سامسونج تعمل على تقنية ذواكر ثورية تجمع ما بين سرعات RAM وسعات SSD

⬤ تسرع سامسونج جهودها في مجال الأبحاث والاختبارات لابتكار نوع جديد وثوري من الذواكر الرقمية المسماة SOM.

⬤ تجمع التقنية الجديدة ميزات ذواكر Flash وDRAM باستعمال خلية من مواد خاصة تقوم بوظيفة مزدوجة في آن واحد.

⬤ تخطط الشركة لطرح ما توصلت إليه في مؤتمر بحثي أواخر العام الجاري، في ظل سعيها لتصدر السباق التجاري مستقبلاً.

تعمل سامسونج حالياً على تسريع مسار تطوير تقنية جديدة وواعدة من الذواكر تحمل الاسم «Selector-Only Memory؛» والتي تجمع ما بين ميزات اللاتطاير في ذواكر التخزين الوميضية (Flash) من جهة، وسرعات الكتابة والقراءة الفائقة في ذواكر الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) من جهة أخرى، ما يؤهلها لإحداث ثورة في مجال الصناعة الرقمية.

يقوم المبدأ الأساسي لذواكر SOM المبتكرة على مواد كالكوجينيدية فريدة، تقوم بدور وظيفي مزدوج، كخلية ذاكرة وجهاز انتقاء. فعلى النقيض من ذلك، تتطلب ذواكر الوصول العشوائي (RAM) التقليدية، ذات الطور المتغير أو المقاومة منها، وجود مكون خاص منفصل، مثل الترانزستور، ليقوم بدور جهاز الانتقاء لتنشيط كل خلية بعينها. في حين تقوم المواد الكالكوجينيدية في ذواكر SOM بالتبديل بين وضعية التوصيل ووضعية المقاومة لتخزين البيانات.

مواضيع مشابهة

بالتأكيد، سيتطلب الامر تركيباً خاصاً من المواد الكالكوجينيدية للقيام بكل ذلك، ويتمتع بسمات مثالية لمهام التخزين والانتقاء. وللتوصل إلى ذلك، عمدت سامسونج للاستعانة بالنمذجة الحاسوبية المتقدمة للتنبؤ بما قد تقدمه أنواع متنوعة من مزيج تلك المواد. وقد قدّرت الشركة وجود ما يزيد على 4,000 خليط مواد كالكوجينيدية صالح للعمل في ذواكر SOM. لكن المرور بكل تلك الخيارات ينطوي على استنزاف مستفحل في الوقت والجهد على الأبحاث والتجارب.

Selector-Only Memory

بطبيعة الحال، ذكر تقرير في مجلة eeNews Analog حول الأمر أن الباحثين قد نجحوا في إيجاد سبيل لاختصار ذلك المجهود على نحو ما، من خلال اللجوء إلى عمليات محاكاة معقدة لغربلة آلاف المجموعات الكالكوجينيدية. وقد قاموا بصياغة كل شيء، بدءاً خصائص الروابط، إلى الاستقرار الحراري، إلى السلوك الكهربيّ. مقلّصين القائمة إلى 18 عنصراً مرشحاً للتصنيع والاختبار.

تطرّقت عمليات المحاكاة تلك إلى المقاييس الرئيسية، مثل عتبة الانحراف في التوتر الكهربائي ونافذة الذاكرة التي تفصل ما بين وضعيّتَي التشغيل والتعطيل. وتدعي سامسونج أن أساليب النمذجة التي اتبعتها ترسخ معيار فرز واضح لتحديد الخلائط الواعدة الأرقى لمواد ذواكر SOM، مشيرة إلى أن نماذجها سمحت بالكشف عن مواد عالية الأداء كانت لتُسقط من الحسبان باستخدام طرق الاختبار التقليدية.

يخطط الفريق لطرح ما توصل إليه خلال مؤتمر International Electron Devices Meeting (IEDM) المنعقد هذا العام في ديسمبر المقبل. ومن المنتظر أن تعطي منهجية التسريع الحوسبية تلك أفضلية لصالح سامسونج في سباقها نحو إطلاق العنان لسوق ذواكر SOM على نطاق أوسع. وهي التي قدمت في نسخة العام الماضي من المؤتمر المذكور نتائج اختبارات أجرتها على شرائح ذواكر SOM بسعة 16 جيجا بايت باستعمال خلايا بالغة الصغر بحجم 16 نانومتر، لتثبت حضورها كمنافس فعلي في المجال.

شارك المحتوى |
close icon