سامسونج بصدد انتاج ذاكرات عشوائية بسعة 4 جيجابايت من نوع LPDDR 3 للهواتف الذكية
أعلنت سامسونج عن البدأ في انتاج ذاكرات عشوائي سعة 4 جيجابايت من نوع LPDDR3 و بهندسة 20 نانومتر للأجهزة المحمولة. هذا الجيل الجديد من الذاكرات العشوائية أسرع و أكثر توفيرا للطاقة من سابقه. فسرعة القراءة في هذا الجيل تبلغ 2133 ميجابت في الثانية مقارنة ب 800 ميجابت في الثانية للجيل السابق. ايضا لشركة تقول ان الجيل الجديد يستهلك طاقة بنسبة 20% عن الجيل السابق.
الملخص - أخبار منتقاة من المنطقة كل أسبوع
تبقيك نشرة مينا تك البريدية الأسبوعية على اطلاع بأهم مستجدات التقنية والأعمال في المنطقة والعالم.
عبر تسجيلك، أنت تؤكد أن عمرك يزيد عن 18 عاماً وتوافق على تلقي النشرات البريدية والمحتوى الترويجي، كما توافق على شروط الاستخدام وسياسة الخصوصية الخاصة بنا. يمكنك إلغاء اشتراكك في أي وقت.
