تسريب جديد حول جالاكسي اس 10

يبدو أن هناك أخباراً سيئة وأخرى جيدة لمحبي سامسونج، فالسيئة هي أن كل يوم يمضي يجلب لنا دليلاً أكبر على أن هاتف جالاكسي نوت 9 سيكون هاتفاً عادياً ومملاً بعض الشيء وأن سامسونج لم تعد تملك المزيد من المفاجآت، أما الأمر الجيد فهو أن هواتف جالاكسي اس 10 وما بعدها ستكون مثيرة للاهتمام.

وهذا يعني أننا نتحدث عن هاتفي جالاكسي اس 10 وجالاكسي اس 10 بلس التي ستطلق العام المقبل، وكل ما نعلمه الآن يشير إلى أن هذين الهاتفين سيكونان رائعين ومدججين بالمواصفات المميزة، والآن أضاف تقرير جديد المزيد من المعلومات حولهما.

ومن بين أهم المزايا التي ينتظر رؤيتها على هذه الهواتف هي أنه سيكون أول هاتف ذكي يتمتع بحساس لبصمة الإصبع ضمن الشاشة الرئيسية، فبدلاً من وجوده في الجانب الخلفي من الجهاز سيصبح مكانه في أسفل الشاشة.

كما من المتوقع أن يكون هناك تحسينات في الأداء عبر الإصدارات الجديدة من معالج Exynos وكوالكوم سناب دراغون، وبالطبع فإن هناك المزيد من المؤشرات حول الأداء إلى جانب المعالج، وهذا يقودنا إلى التسريب الذي انتشر يوم الخميس، فوفقاً لموقع Ice Universe فقد بين أحد المصادر الموثوقة أن جالاكسي اس 10 سيتمتع بجيل جديد من ذاكرة الوصول العشوائي وسعات التخزين، فقد بين المصدر قائلاً :

” ستقوم سامسونج بتصميم رقاقات LPDDR5 وUFS 3.0 في النصف الثاني من العام الحالي ومن المرجح أنها ستضاف إلى جالاكسي اس 10.”

ومن الجدير بالذكر أن هواتف جالاكسي اس 9 واس 9 بلس الحالية تعتمد على رقاقات UFS2.1 وذاكرة وصول عشوائي من نوع LPDDR4.