تسرب أول المعلومات حول جالاكسي اس 10 قبيل الكشف عن جالاكسي اس 9

أسبوع واحد يفصلنا عن موعد الكشف عن جالاكسي اس 9 وهذا يعني أن الشائعات حول جالاكسي اس 10 بدأت بالانتشار، وقد نشر هذا الأسبوع المسرب الشهير رولاند كواندت معلومة تفيد بأن معالج سناب دراغون 855 سيتم تصميمه بواسطة تقنية 7 نانومتر، ولا يزال يتوجب على كوالكوم بالطبع تأكيد هذه المعلومة لكنه يبدو أن شركائها سربوا هذه المعلومة.

وفي يوم الأربعاء انتشرت تقارير تفيد بأن مودم كوالكوم سناب دراغون X24 LTE سيكون أول مودم يتمتع  تقنية 7 نانومتر FinFET، لكننا لن نراها على الأجهزة حتى نهاية عام 2018، وبعبارة أخرى فإن هذا المودم لن يكون جاهزاً لرقاقة سناب دراغون 845 (الذي يعتقد أنه سيوجد على جالاكسي اس 9) لكنه سيطلق على سناب دراغون 855 التي قد توجد في جالاكسي اس 10.

ولم تصرح كوالكوم حتى الآن عن أي شيء رسمي حول التقنية التي ستعتمدها في تصميم رقاقتها القادمة رغم أن المعلومات تشير إلى أنها ستكون 7 نانومتر، وفي حال صحة هذه المعلومات فإن سناب دراغون 855 ستكون أول رقاقة مصممة بهذه التقنية.

ومن الجدير بالذكر أن سامسونج تصمم رقاقات كوالكوم بتقنية 10 نانومتر لكن حسب ما نوه موقع SamMobile فإن كوالكوم تخلت عن سامسونج وتوجهت إلى TSMC في العام الماضي من أجل المضي قدماً بتقنية 7 نانومتر.